Wymiana rezystorów wysokiego napięcia

Alternative equivalent for HB31G0FZRE TE Connectivity Passive Product high voltage thick film RES 1 GOHM 1% 2W RADIAL

Alternatywny odpowiednik dla HB31G0FZRE TE Łączność Produkt pasywny wysokonapięciowy grubowarstwowy RES 1 GOHM 1% 2W RADIALNY

Opis：Oferta firmy HVC Alternatywny odpowiednik wysokonapięciowego grubowarstwowego Ohmite RES 1 GOHM 1% 2W RADIAL zamiennik dla rezystorów TE Connectivity Passive Product EBG Ohmite HV.
Wyślij zapytanie teraz

Cechy produktu

TYP	OPIS
PartNumber	HB31G0FZRE
Kategoria	Rezystory
Rodzina	Rezystory przelotowe
Oryginalny producent	Produkt pasywny TE Connectivity
Opis	OZE 1 GOHM 1% 2W RADIALNE
Odporność	1 GOhm
Tolerancja	± 1%
Moc (Waty)	2W
Kompozycja	Gruby film
Korzyści	Wysokie napięcie, wytrzymujące impuls
Współczynnik temperaturowy	±100ppm/°C
temperatura robocza	-55°C ~ 125°C
Pakiet / sprawa	Radialny
Pakiet urządzeń dostawcy	Promieniowe prowadzenie
Rozmiar / wymiar	2.047 "dł. x 0.118" szer. (52.00 mm x 3.00 mm)
Wysokość - siedząca (maks.)	0.409 "(10.40mm)
Liczba wypowiedzeń	2
Współczynnik awaryjności	-

Rezystor grubowarstwowy wysokiego napięcia to nowoczesny, nieindukcyjny rezystor projektowy, HVC oferuje alternatywny model dla rezystorów grubowarstwowych Ohmite, Vishay, EBG, sprawdź tutaj, aby uzyskać szczegółowe informacje: https://www.hv-caps.com/products/High-Voltage-resistor-Flat-Style.html

Prev:207CHJ100M TE Connectivity Pasywny produkt wysokonapięciowy gruby Dalej:1032003FE Ohmite wysokonapięciowa grubowarstwowa RES 200K OHM 1% 1/2W