Wymiana rezystorów wysokiego napięcia

Alternative equivalent for HBS508M2JZ TE Connectivity Passive Product high voltage thick film RES 8.2M OHM 5% 3W RADIAL

Alternatywny odpowiednik dla HBS508M2JZ TE Connectivity Pasywny produkt wysokonapięciowy grubowarstwowy RES 8.2M OHM 5% 3W RADIAL

Opis：Oferta firmy HVC Alternatywny odpowiednik wysokonapięciowego grubowarstwowego rezystora Ohmite RES 8.2M OHM 5% 3W RADIALNY zamiennik dla rezystorów TE Connectivity Passive Product EBG Ohmite HV.
Wyślij zapytanie teraz

Cechy produktu

TYP	OPIS
PartNumber	HBS508M2JZ
Kategoria	Rezystory
Rodzina	Rezystory przelotowe
Oryginalny producent	Produkt pasywny TE Connectivity
Opis	OZE 8.2M OHM 5% 3W RADIALNE
Odporność	8.2 MOhm
Tolerancja	± 5%
Moc (Waty)	3W
Kompozycja	Gruby film
Korzyści	Wysokie napięcie, nieindukcyjne
Współczynnik temperaturowy	±100ppm/°C
temperatura robocza	-55°C ~ 125°C
Pakiet / sprawa	Radialny
Pakiet urządzeń dostawcy	Promieniowe prowadzenie
Rozmiar / wymiar	1.969 "dł. x 0.039" szer. (50.00 mm x 1.00 mm)
Wysokość - siedząca (maks.)	0.512 "(13.00mm)
Liczba wypowiedzeń	2
Współczynnik awaryjności	-

Rezystor grubowarstwowy wysokiego napięcia to nowoczesny, nieindukcyjny rezystor projektowy, HVC oferuje alternatywny model dla rezystorów grubowarstwowych Ohmite, Vishay, EBG, sprawdź tutaj, aby uzyskać szczegółowe informacje: https://www.hv-caps.com/products/High-Voltage-resistor-Flat-Style.html

Prev:2032003FE Ohmite wysokonapięciowa grubowarstwowa RES 200K OHM 1% 1W R Dalej:750221805KE1 Ohmite wysokonapięciowa grubowarstwowa RES 18M OHM 10% 0